La producción de azufre ultrapuro 6N (≥99,9999 %) requiere destilación multietapa, adsorción profunda y filtración ultralimpia para eliminar trazas de metales, impurezas orgánicas y partículas. A continuación, se presenta un proceso a escala industrial que integra tecnologías de destilación al vacío, purificación asistida por microondas y postratamiento de precisión.
I. Pretratamiento de la materia prima y eliminación de impurezas
1. Selección de materia prima y pretratamiento
- Requisitos: Pureza inicial de azufre ≥99,9 % (grado 3N), impurezas metálicas totales ≤500 ppm, contenido de carbono orgánico ≤0,1 %.
- Fusión asistida por microondas:
El azufre crudo se procesa en un reactor de microondas (frecuencia de 2,45 GHz, potencia de 10-15 kW) a 140-150 °C. La rotación dipolar inducida por microondas garantiza una fusión rápida mientras se descomponen las impurezas orgánicas (p. ej., compuestos de alquitrán). Tiempo de fusión: 30-45 minutos; profundidad de penetración de las microondas: 10-15 cm. - Lavado con agua desionizada:
El azufre fundido se mezcla con agua desionizada (resistividad ≥18 MΩ·cm) en una proporción másica de 1:0,3 en un reactor agitado (120 °C, 2 bar de presión) durante una hora para eliminar las sales hidrosolubles (p. ej., sulfato de amonio, cloruro de sodio). La fase acuosa se decanta y se reutiliza durante 2 o 3 ciclos hasta alcanzar una conductividad ≤5 μS/cm.
2. Adsorción y filtración multietapa
- Adsorción de tierra de diatomeas/carbón activado:
Se añaden tierra de diatomeas (0,5-1 %) y carbón activado (0,2-0,5 %) al azufre fundido bajo protección de nitrógeno (130 °C, agitación durante 2 horas) para adsorber complejos metálicos y residuos orgánicos. - Filtración de ultraprecisión:
Filtración en dos etapas con filtros de titanio sinterizado (tamaño de poro de 0,1 μm) a una presión del sistema de ≤0,5 MPa. Recuento de partículas tras la filtración: ≤10 partículas/L (tamaño >0,5 μm).
II. Proceso de destilación al vacío multietapa
1. Destilación primaria (eliminación de impurezas metálicas)
- Equipo: Columna de destilación de cuarzo de alta pureza con empaque estructurado de acero inoxidable 316L (≥15 platos teóricos), vacío ≤1 kPa.
- Parámetros operativos:
- Temperatura de alimentación: 250–280 °C (el azufre hierve a 444,6 °C bajo presión ambiente; el vacío reduce el punto de ebullición a 260–300 °C).
- Relación de reflujo: 5:1–8:1; fluctuación de temperatura en la parte superior de la columna ≤±0,5 °C.
- Producto: Pureza del azufre condensado ≥99,99 % (grado 4N), impurezas metálicas totales (Fe, Cu, Ni) ≤1 ppm.
2. Destilación molecular secundaria (eliminación de impurezas orgánicas)
- Equipo: Destilador molecular de recorrido corto con espacio de evaporación-condensación de 10–20 mm, temperatura de evaporación 300–320 °C, vacío ≤0,1 Pa.
- Separación de impurezas:
Los compuestos orgánicos de bajo punto de ebullición (por ejemplo, tioéteres, tiofeno) se vaporizan y se evacuan, mientras que las impurezas de alto punto de ebullición (por ejemplo, poliaromáticos) permanecen en los residuos debido a las diferencias en el camino libre molecular. - Producto: Pureza del azufre ≥99,999 % (grado 5N), carbono orgánico ≤0,001 %, tasa de residuos <0,3 %.
3. Refinación de la zona terciaria (logrando una pureza de 6N)
- Equipo: Refinador de zona horizontal con control de temperatura multizona (±0,1 °C), velocidad de desplazamiento de la zona 1–3 mm/h.
- Segregación:
Utilizando coeficientes de segregación (K=Csólido/ClíquidoK=Csólido/CLíquido), 20-30 pasadas de zona concentran los metales (As, Sb) en el extremo del lingote. El 10-15 % restante del lingote de azufre se descarta.
III. Postratamiento y Conformado Ultralimpio
1. Extracción con solventes ultrapuros
- Extracción de éter/tetracloruro de carbono:
El azufre se mezcla con éter de grado cromatográfico (relación de volumen 1:0,5) con asistencia ultrasónica (40 kHz, 40 °C) durante 30 minutos para eliminar trazas de compuestos orgánicos polares. - Recuperación de disolventes:
La adsorción por tamiz molecular y la destilación al vacío reducen los residuos de disolvente a ≤0,1 ppm.
2. Ultrafiltración e intercambio iónico
- Ultrafiltración con membrana de PTFE:
El azufre fundido se filtra a través de membranas de PTFE de 0,02 μm a 160–180 °C y ≤0,2 MPa de presión. - Resinas de intercambio iónico:
Las resinas quelantes (por ejemplo, Amberlite IRC-748) eliminan iones metálicos a nivel de ppb (Cu²⁺, Fe³⁺) a velocidades de flujo de 1 a 2 BV/h.
3. Formación de un entorno ultralimpio
- Atomización de gas inerte:
En una sala limpia de clase 10, el azufre fundido se atomiza con nitrógeno (presión de 0,8 a 1,2 MPa) en gránulos esféricos de 0,5 a 1 mm (humedad <0,001 %). - Envasado al vacío:
El producto final se sella al vacío en una película compuesta de aluminio bajo argón ultrapuro (≥99,9999 % de pureza) para evitar la oxidación.
IV. Parámetros clave del proceso
Etapa del proceso | Temperatura (°C) | presión | Tiempo/Velocidad | Equipo básico |
Fusión por microondas | 140–150 | Ambiente | 30–45 minutos | Reactor de microondas |
Lavado con agua desionizada | 120 | 2 barras | 1 hora/ciclo | Reactor agitado |
Destilación molecular | 300–320 | ≤0,1 Pa | Continuo | Destilador molecular de recorrido corto |
Refinación de zona | 115–120 | Ambiente | 1–3 mm/h | Refinador de zona horizontal |
Ultrafiltración de PTFE | 160–180 | ≤0,2 MPa | Caudal de 1–2 m³/h | Filtro de alta temperatura |
Atomización de nitrógeno | 160–180 | 0,8–1,2 MPa | gránulos de 0,5 a 1 mm | Torre de atomización |
V. Control de calidad y pruebas
- Análisis de trazas de impurezas:
- GD-MS (espectrometría de masas de descarga luminiscente): Detecta metales a ≤0,01 ppb.
- Analizador de TOC: Mide carbono orgánico ≤0,001 ppm.
- Control del tamaño de partículas:
La difracción láser (Mastersizer 3000) garantiza una desviación D50 de ≤±0,05 mm. - Limpieza de superficies:
La XPS (espectroscopia de fotoelectrones de rayos X) confirma que el espesor del óxido de la superficie es ≤1 nm.
VI. Diseño de seguridad y ambiental
- Prevención de explosiones:
Los detectores de llama infrarrojos y los sistemas de inundación con nitrógeno mantienen los niveles de oxígeno <3% - Control de emisiones:
- Gases ácidos: La depuración con NaOH en dos etapas (20 % + 10 %) elimina ≥99,9 % de H₂S/SO₂.
- COV: Rotor de zeolita + RTO (850°C) reduce los hidrocarburos no metánicos a ≤10 mg/m³.
- Reciclaje de residuos:
La reducción a alta temperatura (1200°C) recupera metales; contenido de azufre del residuo <0,1%.
VII. Métricas tecnoeconómicas
- Consumo de energía: 800–1200 kWh de electricidad y 2–3 toneladas de vapor por tonelada de azufre 6N.
- Producir: Recuperación de azufre ≥85%, tasa de residuos <1,5%.
- Costo: Costo de producción ~120.000–180.000 CNY/tonelada; precio de mercado 250.000–350.000 CNY/tonelada (grado semiconductor).
Este proceso produce azufre 6N para fotorresistencias semiconductoras, sustratos compuestos III-V y otras aplicaciones avanzadas. La monitorización en tiempo real (p. ej., análisis elemental LIBS) y la calibración ISO Clase 1 en salas blancas garantizan una calidad constante.
Notas al pie
- Referencia 2: Normas de purificación de azufre industrial
- Referencia 3: Técnicas avanzadas de filtración en ingeniería química
- Referencia 6: Manual de procesamiento de materiales de alta pureza
- Referencia 8: Protocolos de producción química de grado semiconductor
- Referencia 5: Optimización de la destilación al vacío
Hora de publicación: 02-abr-2025