I. Pretratamiento de la materia prima y purificación primaria
- Preparación de materia prima de cadmio de alta pureza
- Lavado con ácidoSumerja los lingotes de cadmio de grado industrial en una solución de ácido nítrico al 5-10 % a 40-60 °C durante 1-2 horas para eliminar los óxidos superficiales y las impurezas metálicas. Enjuáguelos con agua desionizada hasta alcanzar un pH neutro y séquelos al vacío.
- Lixiviación hidrometalúrgica: Tratar los residuos que contienen cadmio (p. ej., escoria de cobre-cadmio) con ácido sulfúrico (concentración del 15-20 %) a 80-90 °C durante 4-6 horas, logrando una eficiencia de lixiviación de cadmio ≥95 %. Filtrar y añadir polvo de zinc (razón estequiométrica 1,2-1,5 veces mayor) para el desplazamiento y obtener cadmio esponjado.
- Fusión y colada
- Cargar cadmio esponjoso en crisoles de grafito de alta pureza, fundir en atmósfera de argón a 320-350 °C y verter en moldes de grafito para enfriamiento lento. Formar lingotes con una densidad ≥8,65 g/cm³.
II. Refinación de zonas
- Equipo y parámetros
- Se utilizan hornos de fusión de zona flotante horizontal con un ancho de zona fundida de 5-8 mm, una velocidad de desplazamiento de 3-5 mm/h y 8-12 pasadas de afinación. Gradiente de temperatura: 50-80 °C/cm; vacío ≤10⁻³ Pa
- Segregación de impurezas: Las pasadas repetidas por zona concentran el plomo, el zinc y otras impurezas en la cola del lingote. Se elimina la sección final rica en impurezas (entre el 15 % y el 20 %), lo que permite alcanzar una pureza intermedia ≥99,999 %.
- Controles clave
- Temperatura de la zona fundida: 400-450 °C (ligeramente por encima del punto de fusión del cadmio de 321 °C);
- Velocidad de enfriamiento: 0,5-1,5 °C/min para minimizar los defectos de la red;
- Caudal de argón: 10-15 L/min para evitar la oxidación
III. Refinación electrolítica
- Formulación de electrolitos
- Composición del electrolito: sulfato de cadmio (CdSO₄, 80-120 g/L) y ácido sulfúrico (pH 2-3), con 0,01-0,05 g/L de gelatina añadida para mejorar la densidad de depósito del cátodo.
- Parámetros del proceso
- Ánodo: Placa de cadmio crudo; Cátodo: Placa de titanio;
- Densidad de corriente: 80-120 A/m²; Voltaje de celda: 2,0-2,5 V;
- Temperatura de electrólisis: 30-40 °C; Duración: 48-72 horas; Pureza del cátodo ≥99,99 %
IV. Destilación por reducción al vacío
- Reducción y separación a alta temperatura
- Colocar los lingotes de cadmio en un horno de vacío (presión ≤10⁻² Pa), añadir hidrógeno como reductor y calentar a 800-1000 °C para reducir los óxidos de cadmio a cadmio gaseoso. Temperatura del condensador: 200-250 °C; Pureza final ≥99,9995 %.
- Eficacia en la eliminación de impurezas
- Plomo residual, cobre y otras impurezas metálicas ≤0,1 ppm;
- Contenido de oxígeno ≤5 ppm
Crecimiento de monocristales de V. Czochralski
- Control de fusión y preparación de cristales semilla
- Cargar lingotes de cadmio de alta pureza en crisoles de cuarzo de alta pureza y fundirlos en argón a 340-360 °C. Utilizar semillas de cadmio monocristalinas con orientación <100> (diámetro de 5-8 mm), pre-recocidas a 800 °C para eliminar la tensión interna.
- Parámetros de extracción de cristales
- Velocidad de tracción: 1,0-1,5 mm/min (etapa inicial), 0,3-0,5 mm/min (crecimiento en estado estable);
- Rotación del crisol: 5-10 rpm (contrarrotación);
- Gradiente de temperatura: 2-5 °C/mm; Fluctuación de temperatura de la interfaz sólido-líquido ≤±0,5 °C
- Técnicas de supresión de defectos
- Asistencia del campo magnético: Aplicar un campo magnético axial de 0,2-0,5 T para suprimir la turbulencia de la masa fundida y reducir las estrías de impurezas;
- Enfriamiento controlado: La tasa de enfriamiento posterior al crecimiento de 10-20 °C/h minimiza los defectos de dislocación causados por el estrés térmico.
VI. Posprocesamiento y control de calidad
- Mecanizado de cristales
- Corte: Utilice sierras de alambre de diamante para cortar obleas de 0,5 a 1,0 mm a una velocidad de alambre de 20 a 30 m/s;
- Pulido: Pulido químico mecánico (CMP) con mezcla de ácido nítrico-etanol (relación vol. 1:5), logrando rugosidad superficial Ra ≤0,5 nm.
- Estándares de calidad
- Pureza: GDMS (espectrometría de masas de descarga luminiscente) confirma Fe, Cu, Pb ≤0,1 ppm;
- Resistividad: ≤5×10⁻⁸ Ω·m (pureza ≥99,9999%);
- Orientación cristalográfica: Desviación <0,5°; Densidad de dislocación ≤10³/cm²
VII. Direcciones de optimización de procesos
- Eliminación de impurezas dirigida
- Utilice resinas de intercambio iónico para la adsorción selectiva de Cu, Fe, etc., combinadas con refinación por zonas de múltiples etapas para lograr una pureza de grado 6N (99,9999 %)
- Actualizaciones de automatización
- Los algoritmos de IA ajustan dinámicamente la velocidad de tracción, los gradientes de temperatura, etc., aumentando el rendimiento del 85% al 93%;
- Ampliar el tamaño del crisol a 36 pulgadas, lo que permite una materia prima de lote único de 2800 kg, reduciendo el consumo de energía a 80 kWh/kg
- Sostenibilidad y recuperación de recursos
- Regenerar los residuos de lavado ácido mediante intercambio iónico (recuperación de Cd ≥99,5%);
- Tratar los gases de escape con adsorción de carbón activado + depuración alcalina (recuperación de vapor de Cd ≥98%)
Resumen
El proceso de crecimiento y purificación de cristales de cadmio integra hidrometalurgia, refinación física a alta temperatura y tecnologías de crecimiento de cristales de precisión. Mediante lixiviación ácida, refinación por zonas, electrólisis, destilación al vacío y crecimiento de Czochralski, junto con la automatización y prácticas ecológicas, permite la producción estable de monocristales de cadmio de ultraalta pureza grado 6N. Estos satisfacen la demanda de detectores nucleares, materiales fotovoltaicos y dispositivos semiconductores avanzados. Los avances futuros se centrarán en el crecimiento de cristales a gran escala, la separación selectiva de impurezas y la producción con bajas emisiones de carbono.
Hora de publicación: 06-abr-2025